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型号 IPU103N08N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
IPU103N08N3 G PDF
代理商 IPU103N08N3 G
标准包装 1,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 10.3 毫欧 @ 46A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 46µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2410pF @ 40V
功率 - 最大 100W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装 PG-TO251-3
包装 管件
其它名称 SP000521640
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